Oriġinali Ġdid Fil-Ħżin MOSFET Transistor Diode Thyristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Komponent Elettroniku
Attributi tal-Prodott
| TIP | DESKRIZZJONI |
| Kategorija | Prodotti Semikondutturi Diskreti |
| Mfr | Teknoloġiji Infineon |
| Serje | SIPMOS® |
| Pakkett | Tejp u Rukkell (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Status tal-Prodott | Attiva |
| Tip FET | N-Kanal |
| Teknoloġija | MOSFET (Ossidu tal-Metall) |
| Ixxotta sa Sors Vultaġġ (Vdss) | 600 V |
| Kurrent - Drain Kontinwu (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Vultaġġ tas-sewqan (Max Rds Mixgħul, Min Rds Mixgħul) | 4.5V, 10V |
| Rds Fuq (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Vgs (Mass) | ± 20V |
| Kapaċità tad-dħul (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Karatteristika FET | - |
| Dissipazzjoni tal-Enerġija (Mass) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura operattiva | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tip ta 'Immuntar | Immonta tal-wiċċ |
| Pakkett tal-Apparat tal-Fornitur | PG-SOT223-4 |
| Pakkett / Kawża | TO-261-4, TO-261AA |
| Numru tal-Prodott Bażi | BSP125 |
Irrapporta Żball ta' Informazzjoni tal-Prodott
Ara Simili
Dokumenti u Media
| TIP TA' RIŻORS | LINK |
| Datasheets | BSP125 |
| Dokumenti Oħra Relatati | Gwida tan-Numru tal-Parti |
| Prodott Dehru | Sistemi għall-Ipproċessar tad-Data |
| Datasheet HTML | BSP125 |
| Mudelli ta' Simulazzjoni | MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V u 800V Mudell tal-Ħwawar N-Channel |
Klassifikazzjonijiet Ambjentali u ta' Esportazzjoni
| ATTRIBUT | DESKRIZZJONI |
| Status RoHS | Konformi ROHS3 |
| Livell ta' Sensittività għall-Umdità (MSL) | 1 (Illimitat) |
| Status REACH | REACH Mhux affettwat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Riżorsi Addizzjonali
| ATTRIBUT | DESKRIZZJONI |
| Ismijiet Oħra | SP001058576 BSP125H6327XTSA1TR BSP125H6327XTSA1CT BSP125H6327XTSA1DKR |
| Pakkett Standard | 1,000 |
Transistor huwa apparat semikonduttur li huwa komunement użat fl-amplifikaturi jew swiċċijiet ikkontrollati elettronikament.It-transisters huma l-blokki bażiċi li jirregolaw it-tħaddim tal-kompjuters, it-telefowns ċellulari, u ċ-ċirkwiti elettroniċi moderni l-oħra kollha.
Minħabba l-veloċità ta 'rispons mgħaġġel u l-eżattezza għolja tagħhom, it-transistors jistgħu jintużaw għal varjetà wiesgħa ta' funzjonijiet diġitali u analogi, inklużi amplifikazzjoni, swiċċjar, regolatur tal-vultaġġ, modulazzjoni tas-sinjal u oxxillatur.It-transisters jistgħu jiġu ppakkjati individwalment jew f'żona żgħira ħafna li tista 'żżomm 100 miljun transisters jew aktar bħala parti minn ċirkwit integrat.
Meta mqabbel mat-tubu tal-elettroni, it-transistor għandu ħafna vantaġġi:
Komponent m'għandux konsum
Ma jimpurtax kemm hu tajjeb it-tubu, se jiddeterjora gradwalment minħabba bidliet fl-atomi tal-katodu u tnixxija kronika tal-arja.Għal raġunijiet tekniċi, it-transisters kellhom l-istess problema meta saru l-ewwel darba.B'avvanzi fil-materjali u titjib f'ħafna aspetti, it-transistors tipikament idumu 100 sa 1,000 darba itwal minn tubi elettroniċi.
Jikkunsmaw ftit enerġija
Huwa biss wieħed minn għaxra jew għexieren ta 'wieħed mit-tubu ta' l-elettroni.M'għandux għalfejn issaħħan il-filament biex jipproduċi elettroni ħielsa bħat-tubu tal-elettroni.Radju transistor jeħtieġ biss ftit batteriji niexfa biex jisimgħu għal sitt xhur fis-sena, li huwa diffiċli li tagħmel għar-radju tat-tubi.
M'hemmx bżonn li tissaħħan minn qabel
Aħdem malli tixgħelha.Pereżempju, radju transistor jintefa malli jinxtegħel, u televiżjoni transistor iwaqqaf stampa hekk kif jinxtegħel.It-tagħmir tat-tubu tal-vakwu ma jistax jagħmel dan.Wara l-but, stenna ftit biex tisma 'l-ħoss, ara l-istampa.B'mod ċar, fil-militar, kejl, reġistrazzjoni, eċċ., Transisters huma vantaġġużi ħafna.
Qawwija u affidabbli
100 darba aktar affidabbli mit-tubu tal-elettroni, reżistenza għax-xokk, reżistenza għall-vibrazzjoni, li hija inkomparabbli mat-tubu tal-elettroni.Barra minn hekk, id-daqs tat-transistor huwa biss minn għaxra sa mija tad-daqs tat-tubu tal-elettroni, rilaxx tas-sħana ftit li xejn, jista 'jintuża biex jiddisinja ċirkwiti żgħar, kumplessi u affidabbli.Għalkemm il-proċess tal-manifattura tat-transistor huwa preċiż, il-proċess huwa sempliċi, li jwassal għat-titjib tad-densità tal-installazzjoni tal-komponenti.
